新一代EUV掩膜即将大批量供应 有望大幅提升芯片产量与尺寸

2021-06-14 21:11:24 LOL竞猜平台 409

新一代EUV掩膜即将大批量供应 有望大幅提升芯片产量与尺寸 2021-04-02 09:29:23来源:cnBeta 阅读量:21739 导读:近年来,阿斯麦(ASML)的TwinscanNXEEUV光刻机已经取得了长足进步,改善了光源性能、可用时间、以及生产力。 早在2019年,代工厂就已经开始了有限度地将极紫外(EUV)光刻光刻技术应用于大批量的芯片制造(HVM)。然而影响EUV工艺普及的主要因素之一,就是光掩模(Pellicles)材料的缺乏,结果限制了EUV工艺的产能扩张。好消息是,近日有消息称,这种情况终于得到了改善,且有望在未来几年迎来进一步的发展。 近年来,阿斯麦(ASML)的TwinscanNXEEUV光刻机已经取得了长足进步,改善了光源性能、可用时间、以及生产力。 遗憾的是,EUV掩膜部分仍面临量产前的巨大挑战。且除了台积电,三星半导体也被迫寻找在供应缺乏下的EUV替代制造工艺。 芯片制造中使用的掩膜材料(通常为6 6英寸),能够将可能落于基材表面上的颗粒隔离开,从而对芯片生产线上的晶圆提供额外的保护。 由于每套EUV标线片就需动用30万美元的成本,因此降低与收益率相关的风险也尤为重要。 早在2019年,ASML就已经突出了首款EVU掩膜,并将技术授权给了三井化学。后者计划于2021年2季度开始量产销售,且ASML方面也未停止持续改进。 不过SemiconductorEngineering指出,迄今为止,只有ASML推出了在商业上切实可行的EUV掩膜(基于50nm厚度的多晶硅)。 早在2016年,该公司就展示了在模拟的175W光源上实现的78%透射率,且当前已在出售效率高达88%的新一代掩膜。相信不久后,三井化学就会大量供应此类掩膜。 最后,AnandTech提到ASML已经展示了透射率高达90.6%的原型。其不均匀性控制在了0.2%以内,且能够在400W光源下将反射率控制在0.005%以下。 (原标题:新一代EUV掩膜即将大批量供应 有望大幅提升芯片产量与尺寸) 台积电:将增加28亿美元投入 增强汽车芯片生产 2021-04-23 15:06:51 4月23日,据报道,台积电称公司董事会批准了28.87亿美元的资本计划,用于安装成熟的技术产能。 厂商担心断供狂抢国产芯片:国产芯片厂集体宣布 2021-04-23 10:47:17 芯片短缺,加上需求不断增加,让国产芯片订单量迎来井喷,尤其是小家电芯片需求旺盛,部分深圳企业订单暴增了10倍之多。 LOL竞猜平台